采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNXC7G
工作温度：150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC1R5CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNXC7G
工作温度：150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4197LS
工作温度：150℃
功率：2W€28W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.25Ω@1.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：R6024KNX
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2000pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：24A
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
功率：74W
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：R6015KNX
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
功率：60W
连续漏极电流：15A
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
输入电容：1050pF@25V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极电荷：27.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC390CH C5G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：818pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNXC7G
工作温度：150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
