品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5205PND3FRATL
功率:65W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH110N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@55A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH230N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:650W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15300pF@25V
连续漏极电流:230A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1985,"16+":2500,"MI+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW276-TL-2H
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@20V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.1Ω@350mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:45mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5205PND3FRATL
功率:65W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8877}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBL070N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:3.3nF@400V
连续漏极电流:44A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH230N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:650W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15300pF@25V
连续漏极电流:230A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0550N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:54mA
类型:P沟道
导通电阻:125Ω@10mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5205PND3FRATL
功率:65W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":338,"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP360N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:730pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5205PND3FRATL
功率:65W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:525V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":54420,"MI+":6400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH230N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:650W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15300pF@25V
连续漏极电流:230A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1985,"16+":2500,"MI+":17500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW276-TL-2H
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@20V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.1Ω@350mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMGD7N45SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.64W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:256pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP0545GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@25V
连续漏极电流:75mA
类型:P沟道
导通电阻:150Ω@50mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":2494}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-00#T2
功率:30W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
输入电容:1.45nF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: