采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420APBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N80L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：245W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.65nF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.63Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1866}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS030N06B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W€2.5W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.56nF@30V
连续漏极电流：22.1A€100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
