采购热线 400-661-9010
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：500mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：361 pF @ 30 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40 pF @ 10 V
连续漏极电流：500mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：3000}
规格型号(MPN)：FDMS8026S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：2280 pF @ 15 V
类型：N 通道
栅极电荷：37 nC @ 10 V
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTP5618
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
功率：500mW（Ta）
栅极电荷：7 nC @ 10 V
连续漏极电流：1.25A（Ta）
输入电容：361 pF @ 30 V
ECCN：EAR99
导通电阻：170 毫欧 @ 1.25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D75Z
连续漏极电流：500mA（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
包装方式：剪切带（CT）
功率：830mW（Ta）
ECCN：EAR99
导通电阻：5 欧姆 @ 200mA，10V
输入电容：40 pF @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6699S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6699S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6699S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6699S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.6 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
