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    阈值电压: 2.4V@250μA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订500个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订500个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订500个装
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    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订3000个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订3000个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

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    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订11个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订11个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    输入电容:680pF@15V

    栅极电荷:19nC@10V

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.4V@250μA

    功率:3.8W€17W

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:19A€40A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订7个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订7个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订7个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订7个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF0201NLT1G 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF0201NLT1G 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@10V,300mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订1000个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订1000个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订15000个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订15000个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2315

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2351

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2351

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PW,115 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2351

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PW,115

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002P,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2315

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002P,215

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:800pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4411 起订250个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4411 起订250个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4411

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:32mΩ@10V,8A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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