采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：48W
漏源电压：50V
栅极电荷：40nC@10V
导通电阻：100mΩ@5V，14A
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：48W
漏源电压：50V
栅极电荷：40nC@10V
导通电阻：100mΩ@5V，14A
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD14N05LSM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@5V，14A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
功率：83W
导通电阻：50mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1.024nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2413
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：32nC@5V
类型：1个N沟道
输入电容：1.14nF@25V
导通电阻：45mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：24A
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
功率：1.36W€62.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
