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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@15V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

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    功率:3W

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

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    功率:3W

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    库存:

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    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4936DCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4936DCS RLG

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    功率:3W

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    包装方式:卷带(TR)

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    导通电阻:36mΩ@5.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

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    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

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    库存:

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    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

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    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

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    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

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    库存:

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    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

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    类型:P沟道

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    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

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    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

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    输入电容:205pF@15V

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    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

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    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

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    功率:3W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2592pF@50V

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2592pF@50V

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2592pF@50V

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2592pF@50V

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2592pF@50V

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2592pF@50V

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P
    onsemi Mosfet场效应管 FDT458P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT458P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:205pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6298
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6298

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1108pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:574
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