品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:22A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4213}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:153W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8638
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3965pF@20V
连续漏极电流:27A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8840NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7535pF@20V
连续漏极电流:18.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.6W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3540pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8327L-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@20V
连续漏极电流:12A€14A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5795pF@20V
连续漏极电流:27A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9411L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@20V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€24W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.6W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3540pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4599,"23+":2164}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8540L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7940pF@20V
连续漏极电流:33A€156A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:1.5mΩ@33A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6508,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€24W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2400,"24+":0,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: