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    ECCN: EAR99
    阈值电压: 3V@250µA
    类型: 2N沟道(双)
    行业应用: 工业
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:181
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5875NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:694
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9945
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9945

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9945

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:869pF@30V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946CDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946CDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:5.2A€6.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40.9mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":117113,"22+":852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":117113,"22+":852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC89521L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC89521L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC89521L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€16W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1635pF@30V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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