采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2002A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：733pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：782pF@15V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31.6pF@50V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@150mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2002A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：733pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
