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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4599，"23+"：2164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3158，"22+"：1403}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3158，"22+"：1403}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
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功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
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连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
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生产批次：{"19+"：3158，"22+"：1403}
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规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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生产批次：{"19+"：3158，"22+"：1403}
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规格型号(MPN)：FDMD8560L
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输入电容：11130pF@30V
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导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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生产批次：{"19+"：3158，"22+"：1403}
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规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
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功率：1W€1.25W
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连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
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功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
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功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
功率：1W€1.25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
类型：2个N通道（半桥）
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.8A€8.2A
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：60V
输入电容：11130pF@30V
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
连续漏极电流：22A€93A
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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功率：1W€1.25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：2个N通道（半桥）
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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功率：1W€1.25W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：2个N通道（半桥）
ECCN：EAR99
连续漏极电流：5.8A€8.2A
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