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    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

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    ECCN:EAR99

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    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

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    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

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    漏源电压:20V

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    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

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    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    NXP Mosfet场效应管 PMV170UN,215
    NXP Mosfet场效应管 PMV170UN,215

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6000,"14+":15000,"15+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV170UN,215

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    功率:325mW€1.14W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

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    库存:

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    起购:100
    NXP Mosfet场效应管 PMV170UN,215
    NXP Mosfet场效应管 PMV170UN,215

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":6000,"14+":15000,"15+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV170UN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:325mW€1.14W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.65nC@4.5V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

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    功率:500mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    连续漏极电流:1A

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    导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2501UFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2501UFB4-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:2nC@10V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1012UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1012UW-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60.67pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:0.74nC@4.5V

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    功率:290mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMV170UN,215
    NXP Mosfet场效应管 PMV170UN,215

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":6000,"14+":15000,"15+":12000}

    规格型号(MPN):PMV170UN,215

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:1.65nC@4.5V

    功率:325mW€1.14W

    输入电容:83pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:1A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

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