品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@16V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6102500,"18+":119008}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3190NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:120mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.8pF@15V
连续漏极电流:224mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":53580,"23+":37565,"24+":87000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3164NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:155mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@10V
连续漏极电流:361mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:120mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.8pF@15V
连续漏极电流:224mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A€6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:120mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.8pF@15V
连续漏极电流:224mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":322,"20+":136250,"21+":25400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL3103STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@34A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2374DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":125}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL3803PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@71A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004TK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: