采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8851EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：7.7A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@6V
连续漏极电流：5A€6A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：17.8mΩ@8.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@6V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4403DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@10V
连续漏极电流：15.4A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3433CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€3.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA905P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3405pF@6V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@8.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.5pF@10V
连续漏极电流：770mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.7A€4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3433CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€3.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3433CDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€3.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5.2A€6A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG55P02A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€38W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6358pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：8.3mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB433EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG55P02A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€38W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：149nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6358pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：P沟道
导通电阻：8.3mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：56140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3113PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1329pF@16V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3433CDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€3.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：5.2A€6A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2970pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3423A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@4.5V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3433CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76pF@16V
连续漏极电流：460mA
类型：P沟道
导通电阻：700mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
