采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：163717，"23+"：30000，"MI+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：散装
输入电容：827pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9640GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：6.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：散装
输入电容：827pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9640STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@6.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：163717，"23+"：30000，"MI+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
