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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5395，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
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ECCN：EAR99
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ECCN：EAR99
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输入电容：645pF@50V
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ECCN：EAR99
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生产批次：{"22+"：5395，"23+"：3000}
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连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：6A€26A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
输入电容：645pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
连续漏极电流：6A€26A
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