品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1313pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:141pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07N8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:870mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
连续漏极电流:800mA€680mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.17W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€166W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8474pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: