采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7769L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11560pF@25V
连续漏极电流：20A€124A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：358，"22+"：12876，"23+"：6227，"24+"：14425}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8010STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：260W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3830pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：388}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB035N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7295pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF530STRL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€88W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110N10-09-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1440pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0260N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8545pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86063
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5120pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF510STRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
