采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"02+"：400}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP100N03S2-03
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7020pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：499，"14+"：5000，"21+"：10000，"22+"：984}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S204ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：499，"14+"：5000，"21+"：10000，"22+"：984}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S204ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：172nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：13300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N06S205AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：8247}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：808}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：13300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N06S205AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：13300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N06S205AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1407STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@78A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N06S205AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5110pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：88，"21+"：427，"22+"：342，"23+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N06S205ATMA4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5110pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTB-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：20000，"18+"：2200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N08S207AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
