采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI540NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI540NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI540NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR4105ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：24.5mΩ@18A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1050，"MI+"：2386}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10982}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75321D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：93W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI540NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI540NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR4105ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：24.5mΩ@18A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR4105ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：24.5mΩ@18A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75329D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
