采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM150NB04DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@20V
连续漏极电流：9A€39A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3890
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@40V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@4.7A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4011SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：11.1A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2026pF@30V
连续漏极电流：14.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
