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    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3400SDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3400SDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@15V

    连续漏极电流:650mA€450mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@590mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKVL 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:360mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@350mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA470EEJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:2.25A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7868ADP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7868ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6110pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.25mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订390个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":7495,"9999":192}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7212DN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LK3-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4800LK3-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4800LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.71W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:798pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS138 起订27个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS138 起订27个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD424 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD424

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4630pF@10V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17311Q5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17311Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BSS138 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA470EEJ-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA470EEJ-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:2.25A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17303Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):369psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17303Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:32A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17306Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17306Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2170pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@22A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4447A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4447A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5500pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS138 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 BSS138 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27pF@25V

    连续漏极电流:220mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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