品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55XNEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:550mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":78000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:515mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:79mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55XNEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:550mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:255pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMS5P02R2G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@16V
连续漏极电流:3.95A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:515mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:79mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":423,"18+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4502,"19+":92500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XNEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€12.5W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":34557}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN27XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@10V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPEAH
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2170U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32136C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH103BKR
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€2.1W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79.3pF@15V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPEAH
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD83325L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":2125,"10+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS5P02R2SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:790mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@16V
连续漏极电流:3.95A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@5.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7404G
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:20A€20A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP8R3-20QXJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€50W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@10V
连续漏极电流:12.4A€65.1A
类型:P沟道
导通电阻:8.3mΩ@12.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD175XNEX
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@15V
连续漏极电流:870mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:252mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65XPER
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:618pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13383F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:291pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: