品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":2900,"20+":619,"22+":1707,"23+":2291}
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
功率:4.1W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50A€316A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:4300pF@25V
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:41A€235A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}
规格型号(MPN):FCMT299N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
阈值电压:3.5V@250µA
功率:125W
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1948pF@380V
导通电阻:299mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF380N60
连续漏极电流:10.2A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
功率:31W
输入电容:1665pF@25V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:380mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
功率:3.9W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
连续漏极电流:46A€300A
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C430NT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:47nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€150W
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
输入电容:4000pF@32V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88nC@10V
连续漏极电流:116A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2742}
规格型号(MPN):FCP260N60E
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
导通电阻:260mΩ@7.5A,10V
输入电容:2500pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:管件
栅极电荷:62nC@10V
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":3000}
规格型号(MPN):NVMFS5C468NT1G
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
漏源电压:40V
连续漏极电流:12A€35A
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
栅极电荷:7.9nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NAFT1G
功率:3.9W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
连续漏极电流:46A€300A
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N60Z
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
输入电容:1120pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NT3G
功率:3.9W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
连续漏极电流:46A€300A
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":7883}
规格型号(MPN):NTD5804NT4G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
漏源电压:40V
输入电容:2850pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@30A,10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:69A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCP099N60E
导通电阻:99mΩ@18.5A,10V
功率:357W
输入电容:3465pF@380V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:管件
漏源电压:600V
栅极电荷:114nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":766}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
功率:227W
导通电阻:170mΩ@11A,10V
输入电容:2860pF@380V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
功率:52W
漏源电压:600V
输入电容:720pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:4300pF@25V
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
功率:3.8W€128W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:41A€235A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04CL
功率:4.1W€166W
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50A€316A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:6100pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":6800,"23+":7500,"MI+":5000}
规格型号(MPN):FCD600N60Z
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
输入电容:1120pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:47nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD380N60E
功率:106W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.2A
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:1770pF@25V
导通电阻:380mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":36000}
规格型号(MPN):NVMFS5C430NAFT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:47nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":53700,"MI+":2000}
规格型号(MPN):FCPF600N60Z
连续漏极电流:7.4A
输入电容:1120pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:600mΩ@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":260,"23+":2588}
规格型号(MPN):FCMT199N60
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:74nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
功率:208W
连续漏极电流:20.2A
输入电容:2950pF@100V
导通电阻:199mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5802NT4G
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:5025pF@25V
连续漏极电流:16.4A€101A
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€93.75W
导通电阻:4.4mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NWFAFT1G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A€185A
类型:N沟道
功率:3.8W€106W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:47nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":766}
规格型号(MPN):FCP170N60
功率:227W
导通电阻:170mΩ@11A,10V
输入电容:2860pF@380V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
输入电容:2450pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:24A€127A
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
ECCN:EAR99
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: