采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA36EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6636pF@25V
连续漏极电流：350A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04CL
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：50A€316A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH45M5SPDWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€60W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1083pF@20V
连续漏极电流：79A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€38W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：14A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB42EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C466NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€37W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：15A€49A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：46A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：36000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000，"24+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C430NWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ152EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：114A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C446NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€89W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@25V
连续漏极电流：24A€127A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.9mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
