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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4804CDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€4.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:15.7A€100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ350DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:18.5A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA468DJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA468DJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@15V

    连续漏极电流:37.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ350DT-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ350DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@15V

    连续漏极电流:18.5A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340BDT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340BDT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340BDT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@15V€1065pF@15V

    连续漏极电流:16.9A€36A€25.3A€69.3A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€4.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:15.7A€100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€38W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@15V

    连续漏极电流:27A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ340DT-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W€31W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA462DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:15.3A€38.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:14.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR818DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR818DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR818DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3660pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ342DT-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€4.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:15.7A€100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€38W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@15V

    连续漏极电流:27A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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