品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€4.3W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:15.7A€100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ350DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€16.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:18.5A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@15V
连续漏极电流:37.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:30.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ350DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€16.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:18.5A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:30.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:30.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730pF@15V
连续漏极电流:30.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340BDT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@15V€1065pF@15V
连续漏极电流:16.9A€36A€25.3A€69.3A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€4.3W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:15.7A€100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€38W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@15V
连续漏极电流:27A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:16.7W€31W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:9.5mΩ@15.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:15.3A€38.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:14.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30.6A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR818DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ342DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€4.3W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:15.7A€100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€38W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@15V
连续漏极电流:27A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: