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    ECCN: EAR99
    阈值电压: 900mV@250µA
    当前匹配商品:200+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P03CX RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P03CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:810pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG 起订3000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305
    谷峰 Mosfet场效应管 G2305

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2305

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:46mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2400UV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@10V

    连续漏极电流:1.03A€700mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM320N03CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM320N03CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:792pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L
    谷峰 Mosfet场效应管 G6N02L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6N02L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ2815_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ2815_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2400UV-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2400UV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@10V

    连续漏极电流:1.03A€700mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV100XPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB47XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB47XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB47XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1365pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:58mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:627pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P-Channel

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3414UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:829.9pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV75UP,215 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV75UP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:102mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE
    Central Mosfet场效应管 CEDM7001 TR PBFREE

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CEDM7001 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:100mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.57nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNEZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB23XNEZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB23XNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2305UX-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2305UX-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:808pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:52mΩ@4.2A、4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401VNEAZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401VNEAZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@6V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5442DU-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5442DU-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5442DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7R
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFB4-7R

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@16V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926UDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9926UDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9926UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:980mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:856pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB33XP,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB33XP,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB33XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1575pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@5.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
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