采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：11782}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4965NFTAG
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：16.3A€64A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS32302
工作温度：-55℃~150℃
功率：119W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@15V
连续漏极电流：56A€220A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：34724，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7843TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：161A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7843TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：161A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3500，"23+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7843TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：161A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7843TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：161A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS32302
工作温度：-55℃~150℃
功率：119W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@15V
连续漏极电流：56A€220A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：538，"23+"：975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7833TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4010pF@15V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000，"18+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4985NFTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W€22.73W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：16.3A€64A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：162117，"MI+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4985NFTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W€22.73W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：16.3A€64A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7833
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：4010pF@15V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7428
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@15V
连续漏极电流：34A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：11782}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4965NFTAG
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：16.3A€64A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7428
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@15V
连续漏极电流：34A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS32302
工作温度：-55℃~150℃
功率：119W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6060pF@15V
连续漏极电流：56A€220A
类型：N沟道
导通电阻：1.35mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONR32320C
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€11W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：9.5A€12A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7843TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：161A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
