品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A€3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€23W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8409DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.47W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7400
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.82nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3402L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:464pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A€3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A€3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A€3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3400A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3495EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8816EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4427BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@12.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3403A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3402
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: