采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5807NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：603pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
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功率：3.8W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
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输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
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ECCN：EAR99
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导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
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栅极电荷：341nC@10V
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连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
功率：3.8W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：14A
导通电阻：10mΩ@50A，10V
输入电容：2103pF@25V
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{}
规格型号(MPN)：NVD5807NT4G
导通电阻：31mΩ@5A，10V
输入电容：603pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：20nC@10V
功率：33W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：163nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
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连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
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栅极电荷：163nC@4.5V
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连续漏极电流：553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：163nC@4.5V
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连续漏极电流：553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
