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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€600pF@25V

    连续漏极电流:15A€9.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRL7PP 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRL7PP 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLS4030TRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11490pF@50V

    连续漏极电流:190A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@110A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€8.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS4030TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLS4030TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11360pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@110A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ570EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V€600pF@25V

    连续漏极电流:15A€9.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2286pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMT760EN,135 起订2693个装
    NXP Mosfet场效应管 PMT760EN,135 起订2693个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":10855}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT760EN,135

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW€6.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@80V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@800mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB68EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4190BDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4190BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€8.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@50V

    连续漏极电流:12A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5540pF@15V

    连续漏极电流:38A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA12CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA12CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N10AL_L2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N10AL_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@30V

    连续漏极电流:6.3A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOD66920 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD66920 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66920

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC25P10Y-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC25P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:56mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA700CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA700CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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