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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P06-15L_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€84W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-09L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-09L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6675pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 50N06 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 50N06 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):50N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2928pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P08-25L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50P08-25L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5350pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:159nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5380pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4590pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4234pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P06-15L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P06-15L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50P06-15L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6120pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD45P03-12_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3495pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N10-8M9L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:115nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM090N03ECP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM090N03ECP ROG

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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