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    ECCN: EAR99
    阈值电压: 2.5V@250µA
    连续漏极电流: 35A
    当前匹配商品:70+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€77W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

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    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si7617DN-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si7617DN-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si7617DN-T1-GE3

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    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

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    输入电容:1800pF@15V

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    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8780 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8780 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":873957}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8780

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si7617DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si7617DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订2500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订2500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€77W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8796 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8796 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8796

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@13V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7114ADN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7114ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订1032个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订1032个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6500,"MI+":9210}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8778

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@13V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8780 起订993个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8780 起订993个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":873957}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8780

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1440pF@13V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si7617DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si7617DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8778 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6500,"MI+":9210}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8778

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@13V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@35A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€77W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€77W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4427pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€77W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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