采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4410EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS4030TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11490pF@50V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@110A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：59025}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NAT4G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：59502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4917NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1054pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€8.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4150pF@50V
连续漏极电流：12A€17A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6414A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@15V
连续漏极电流：13A€30A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM060N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：54W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@15V
连续漏极电流：16A€45A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：15.2A€52.1A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQSA12CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ464EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2086pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：14194，"08+"：50，"09+"：822}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4108NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€96.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2900，"13+"：770}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS3034TRL7PP
功率：380W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10990pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
