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    ECCN: EAR99
    阈值电压: 1.5V@250µA
    漏源电压: 20V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:1000+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG311N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1466
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDZ193P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ193P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1276
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P-Channel

    导通电阻:47mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2029USD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2029USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1171pF@10V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6310P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:337pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG312P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1649
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:5.97A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3900DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS7D2P02P8ZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS7D2P02P8ZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:860mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2790pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN338P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN338P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN338P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    输入电容:451pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443CDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@10V

    连续漏极电流:5.97A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P
    onsemi Mosfet场效应管 FDN340P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN340P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:779pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS415DNT-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5460pF@10V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTS4101PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":588000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTS4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@20V

    连续漏极电流:1.37A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5682
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2741}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2154
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6335N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2651,"21+":5153,"22+":10261}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1751
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3101FT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":685,"07+":237925,"08+":3250,"09+":47000,"10+":2212,"15+":79412,"16+":2400,"MI+":87000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3101FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:627
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20
    onsemi Mosfet场效应管 FDN028N20

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN028N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
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