品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2029USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20Q-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW€920mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3066LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138DW-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6601LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:422pF@15V
连续漏极电流:3.8A€2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.2pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSN20-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3065LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2029USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: