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    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF15S60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF15S60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF15S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:717pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€20.2W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:14.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6904pF@30V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM033NB04CR RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€107W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4917pF@20V

    连续漏极电流:21A€121A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM050NB06CR RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6904pF@30V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:211nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@150A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7513,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:211nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@150A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7513,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:211nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@150A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM250NB06DCR RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€58W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1398pF@30V

    连续漏极电流:6A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS32DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@40V

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":7513,"MI+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:211nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@150A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT015N10N5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:211nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@50V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@150A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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