销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€58W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1398pF@30V
连续漏极电流:6A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF15S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:717pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€20.2W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:14.4A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6904pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM033NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€107W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4917pF@20V
连续漏极电流:21A€121A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM050NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€136W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6904pF@30V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7513,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7513,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€58W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1398pF@30V
连续漏极电流:6A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€58W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1398pF@30V
连续漏极电流:6A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€58W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1398pF@30V
连续漏极电流:6A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7513,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT015N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19538Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€23W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:454pF@50V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: