品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1391}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4B60KPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):24A
关断延迟时间:100ns
关断损耗:83µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:130µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014PBF-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Bulk
连续漏极电流:5.1A
类型:MOSFET
导通电阻:500mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":74400,"18+":2000,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V2040D3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:3.64µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):1.9V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":74400,"18+":2000,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V2040D3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:3.64µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):1.9V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":74400,"18+":2000,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V2040D3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:3.64µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):1.9V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014PBF-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Bulk
连续漏极电流:5.1A
类型:MOSFET
导通电阻:500mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014PBF-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Bulk
连续漏极电流:5.1A
类型:MOSFET
导通电阻:500mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
包装方式:Reel
漏源电压:80V
阈值电压:2V
功率:42W
栅极电荷:12nC
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:30A
导通电阻:20mΩ
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"83+":1313}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGS4B60KD1TRRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):22A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:93ns
关断损耗:47µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:73µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"83+":1313}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGS4B60KD1TRRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):22A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:93ns
关断损耗:47µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:73µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"83+":1313}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGS4B60KD1TRRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):22A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:93ns
关断损耗:47µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:73µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V2040S3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:3.64µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):1.9V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"83+":1313}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGS4B60KD1TRRP
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):22A
关断延迟时间:100ns
反向恢复时间:93ns
关断损耗:47µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:73µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V2040S3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:3.64µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):1.9V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1391}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4B60KPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):24A
关断延迟时间:100ns
关断损耗:83µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:130µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"17+":1391}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGB4B60KPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):24A
关断延迟时间:100ns
关断损耗:83µJ
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:12nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,4A
导通损耗:130µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V2040S3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:3.64µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):1.9V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"20+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V2040S3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:3.64µs
集电极截止电流(Ices):430V
栅极电荷:12nC
集电极电流(Ic):1.9V@4V,6A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014PBF-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Bulk
连续漏极电流:5.1A
类型:MOSFET
导通电阻:500mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014PBF-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Bulk
连续漏极电流:5.1A
类型:MOSFET
导通电阻:500mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H860NLTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:30A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: