品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI7446GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:40.5W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3199pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@48A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS247ZE3043AKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI7446GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:40.5W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3199pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@48A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1889pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":16500,"17+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI100N04S4H2AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS247ZE3043AKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€268W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI7446GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:40.5W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3199pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@48A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1889pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€268W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:201W
阈值电压:4V@1.08mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3891pF@400V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1889pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:201W
阈值电压:4V@1.08mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3891pF@400V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":16500,"17+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI100N04S4H2AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:201W
阈值电压:4V@1.08mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3891pF@400V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@22.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS247ZE3043AKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€45.5W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS247ZE3043AKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:120W
阈值电压:2V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1730pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@12A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":16500,"17+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI100N04S4H2AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7180pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€268W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF266L
连续漏极电流:18A€78A
功率:2.1W€45.5W
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3.2V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€45.5W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":59,"24+":450}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA19N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:18.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@9.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€268W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€268W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€268W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€45.5W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€45.5W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5650pF@30V
连续漏极电流:18A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: