采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB406EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.95W€10W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@3.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2290
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：415pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A€3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K8CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL9014TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP321PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：319pF@25V
连续漏极电流：980mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@980mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR310PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS034N15MC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€62.5W
阈值电压：4.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：905pF@75V
连续漏极电流：6.1A€31A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@13A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1000，"24+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP321PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：319pF@25V
连续漏极电流：980mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@980mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3459BDV-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：2.2A€2.9A
类型：P沟道
导通电阻：216mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：999，"19+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R2K8CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS412DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4178DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5632N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3130L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1416EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.9A€3.9A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10，"20+"：4940，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K8CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LFVWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€35.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：823pF@15V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
