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    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:30000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE
    谷峰 Mosfet场效应管 G01N20LE

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G01N20LE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3407_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3407_R1_00001

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:65mΩ@3.8A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:12nC@10V

    阈值电压:2.1V@250µA

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:528pF@15V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    AOS Mosfet场效应管 AON2290
    AOS Mosfet场效应管 AON2290

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9014TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:216mΩ

    漏源电压:3V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.2Ω

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7509TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7509TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:2.7A€2A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:110mΩ@1.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
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