采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB7N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB7N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"20+"：685}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB7N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB7N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB7N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"20+"：685}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB7N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€142W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16E60W，S1VX
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@300V
连续漏极电流：15.8A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：22A
输入电容：2600pF@25V
包装方式：管件
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
输入电容：1350pF@300V
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：15.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH22N60P3
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：22A
输入电容：2600pF@25V
包装方式：管件
导通电阻：360mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
功率：500W
阈值电压：5V@1.5mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK16G60W，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：3.7V@790µA
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
输入电容：1350pF@300V
导通电阻：190mΩ@7.9A，10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：15.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
