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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLI630GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@3.7A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD7N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4，"22+"：1050，"23+"：4458}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC90N04S5L3R3ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2145pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18514Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2683pF@20V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2965，"17+"：6400，"18+"：79000，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP380N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1665pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL630PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7000，"24+"：2250}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N90C
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC059N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@20V
连续漏极电流：16A€73A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000，"21+"：2374，"22+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC057N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@15V
连续漏极电流：15A€71A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2965，"17+"：6400，"18+"：79000，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP380N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1665pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6294
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€57W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：2965，"17+"：6400，"18+"：79000，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP380N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1665pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC052N08NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.8V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@47.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4615TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@50V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@21A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
