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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：354，"22+"：14000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTCG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：19779，"10+"：3442，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：76，"09+"：1102，"10+"：230，"MI+"：5377}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.98W€113.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：15.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：30000，"22+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1438，"08+"：275，"10+"：109562，"11+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4836NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2677pF@12V
连续漏极电流：11A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：25707}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3A18PZTXG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14XNX
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@20V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8，1A，4，5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：7867}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP4302
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1438，"08+"：275，"10+"：109562，"11+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4836NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW€55.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2677pF@12V
连续漏极电流：11A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：19779，"10+"：3442，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：76，"09+"：1102，"10+"：230，"MI+"：5377}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.98W€113.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：15.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：161500，"11+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4847NAT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€48.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2614pF@12V
连续漏极电流：11.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：76，"09+"：1102，"10+"：230，"MI+"：5377}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.98W€113.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：15.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4847NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€48.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2614pF@12V
连续漏极电流：11.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：343，"14+"：10000，"15+"：129398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17555Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4650pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：15536，"11+"：2325}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02R-001G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3A18PZTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：11830}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：25707}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS3A18PZTXG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：3687，"9999"：25，"MI+"：960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD110N02R-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3440pF@20V
连续漏极电流：12.5A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
