品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":134039}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4929NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:6.6A€34A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4929NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:6.6A€34A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4925,"15+":120000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4615R-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":50000,"9999":8959}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN49EN,135
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":50000,"9999":8959}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN49EN,135
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4929NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:6.6A€34A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":134039}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4929NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:6.6A€34A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4925,"15+":120000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4615R-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":4925,"15+":120000}
规格型号(MPN):EFC4615R-TR
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.3V@1mA
漏源电压:24V
功率:1.6W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:31mΩ@3A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":134039}
规格型号(MPN):NTTFS4929NTAG
连续漏极电流:6.6A€34A
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:11mΩ@10A,10V
类型:N沟道
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4929NTWG
连续漏极电流:6.6A€34A
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:920pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:11mΩ@10A,10V
类型:N沟道
功率:810mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
功率:1.4W
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:630pF@10V
导通电阻:24mΩ@6A,10V
类型:N沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: