采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N-Channel
导通电阻：5.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4166DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730pF@15V
连续漏极电流：30.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4166DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730pF@15V
连续漏极电流：30.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4166DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730pF@15V
连续漏极电流：30.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4166DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730pF@15V
连续漏极电流：30.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：330，"23+"：122}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6268
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N-Channel
导通电阻：4.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6268
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N-Channel
导通电阻：4.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8483DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@6V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11880，"23+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6268
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N-Channel
导通电阻：4.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：683，"20+"：1865，"21+"：155000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N-Channel
导通电阻：5.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
