采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1354，"22+"：2188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：20A
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
输入电容：1.1nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：20A
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
输入电容：1.1nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
输入电容：783pF@100V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：89W
连续漏极电流：12A
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：783pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
