采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：319}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-60XSQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5494pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R5R04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：205W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：543W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：543W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R5R04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：205W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR8504PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R5R04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：205W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60S5XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2293，"22+"：8970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D4N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€180W
阈值电压：2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7430pF@30V
连续漏极电流：39A€262A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2010UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@10V
连续漏极电流：12.7A€42A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4S04PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：180W
阈值电压：3V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@10V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@60A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
