采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：216732，"15+"：481087，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4C12NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N40D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：94pF@15V
导通电阻：12mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：45500，"13+"：33100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2610
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@100V
连续漏极电流：2.2A€9.5A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8315-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：875pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7820DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD075N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：554，"19+"：2500，"MI+"：681}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2640，"21+"：2549239，"23+"：1443}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
