品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK065U65Z,RQ
功率:270W
阈值电压:4V@1.69mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.65nF@300V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1.26nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1.26nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1.26nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1.26nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1.26nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1.26nF@100V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
输入电容:4.507nF@20V
功率:147W
栅极电荷:62nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
输入电容:4.507nF@20V
功率:147W
栅极电荷:62nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
输入电容:4.507nF@20V
功率:147W
栅极电荷:62nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.6V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: